细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
2氧化硅的深加工艺
一种深沟槽二氧化硅填充方法及晶圆与流程 X技术网
2022年12月13日 该深沟槽二氧化硅填充方法在道填充和第二道填充之间增加一道高温密化步骤，使得衬底中的位错缺陷得以消除。本发明同时提供一种包含使用该方法加工的深沟槽的晶 2022年7月15日 本发明公开了一种使用二氧化硅填充深沟槽后的平坦化方法,包含,步骤一,一次研磨,以使二氧化硅表面高于沟槽表面至少步骤二,对二氧化硅进行高温密化,以及步骤三,二次研 一种使用二氧化硅填充深沟槽后的平坦化方法及晶圆 豆丁网2020年5月24日 本章中， 将介绍SiO2的生长工艺及用途、 氧化反应的不同方法， 其中包括快速热氧化工艺。 另外， 还简单介绍本工艺中最重要的部分反应炉艺中最重要的部分反应炉， 本章中,将介绍SiO2的生长工艺及用途、氧化反应的不同2023年5月24日 本发明公开了一种改善深沟槽工艺晶圆变形的方法，其包括以下步骤：S1、提供一具有深沟槽的半导体基底；S2、在所述深沟槽中进行次二氧化硅填充形成膜 一种改善深沟槽工艺晶圆变形的方法及晶圆pdf 原创力文档2024年9月9日 深反应离子刻蚀（DRIE）硅槽是MEMS加工的重要部分，是实现体硅工艺的基石之一。定义是什么？过程如何？有多重要？这是MEMS的入门知识，这里不表述了。这里要讲什么呢？讲MEMS设计从业者都觉得理所当然的傲 干法硅深槽刻蚀：理想 vs 现实2019年10月25日 本发明公开了一种深槽隔离工艺方法，包含：在半导体衬底表面依次形成一层氧化硅层及一层氮化硅层；通过光刻胶定义，对氮化硅层及氧化硅层进行刻蚀，打开欲形成深沟 深槽隔离工艺方法百度文库
如何在晶圆上生长二氧化硅（SiO2）硅片高温sio氧化层
2024年10月29日 生长的SiO2层在CMOS工艺中有多种用途，例如：作为栅极氧化层，在晶体管中提供隔离和电容效应；作为场氧化层，将器件隔离以减少漏电流；作为掩膜层，用于离子注 2025年3月19日 1一种无缝填充氧化硅沟槽的方法，其特征在于，使用同一个等离子体增强化学气相沉积(pecvd)的腔室，利用射频源完成氧化硅沟槽刻蚀、氮化硅沉积、原位氮化硅刻蚀步 一种无缝填充氧化硅沟槽的方法与流程 X技术网2021年6月8日 表面硅 MEMS加工技术是在集成电路平面工艺基础上发展起来的一种MEMS工艺技术。它利用硅平面上不同材料的顺序淀积和选择腐蚀来形成各种微结构。它的基本思路是： 学 问 NJUST2015年8月9日 此外，在扩散总时 间‘定，并去掉各次产生的表面层物质后，则多次扩散比一次扩散能得到更深的结深。 一、引言 硅微机械加T技术是八十年代开始伴随硅微型传感器的研究而 mems加工中的浓硼扩散技术的研究 豆丁网2023年3月29日 本文主要介绍了硅、氮化硅和二氧化钛3种常见介质 材料的超构表面加工工艺，以及钙钛矿和石墨烯这两 种新材料的加工方法，讨论并分析了超构表面实业化 面临的挑战 介质超构表面的CMOS兼容制备工艺的进展 Researching2024年12月19日 深硅刻蚀(DSiE)是一种通过化学反应和物理过程来刻蚀硅或其他半导体材料的技术。其原理是在硅表面形成一层保护膜，然后通过离子轰击或化学反应来刻蚀硅材料。由于保 深硅刻蚀技术解析（深硅刻蚀工艺及其应用）
深硅刻蚀 Deep Silicon Etching
主要功能： 主要用于硅、SOI微纳米结构刻蚀，具有Bosch、Cryo、Mixgas三种工艺，Bosch工艺可以实现选择比高、刻蚀速率快、侧壁粗糙度小的高深宽比刻蚀；Cryo工艺可通过液氮和氦背 2023年2月20日 气相沉积设备主要用于薄膜电路表面的高低频低应 力氧化硅等薄膜淀积。 设备具有低温 TEOS 工艺沉积氧化 硅薄膜，应力易调控，适用于薄膜电路制造中保护膜层 的沉积。 【科普】一文了解TSV工艺及设备 电子工程专辑 EE Times 531 氧化工艺的应用 硅的氧化工艺是整个 IC 过程的基本工艺之一。二氧化硅有许多应用，其中之一是作为扩散遮蔽层。大多数半导体生产中使用的掺杂原子（如硼和磷）在二氧化硅中的扩散速率远低于在单晶硅中的速率。利用在遮蔽氧化 知乎盐选 53 氧化工艺2023年9月6日 将此方法获得的氧化物超微粒子利用透射电子显微镜(TEM)观察，可以获得粒径约100nm的球形氧化硅微粒子。 VMC法采用金属硅制备出的亚微米级球形二氧化硅微粉具有表面光滑、无定型含量高等特点，然而使用的原料 球形硅微粉产业化的三种技术路径，后两种我们所知 2023年7月28日 2、硅的碱性刻蚀液： 氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺（ TMAH ）溶液 ，晶片加工中，会用到强碱作表面腐蚀或减薄，器件生产中，则倾向于弱碱，如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒，一部分机理是SC1中 一文详解晶片湿法刻蚀 知乎2017年3月16日 右,所制备的氧化层内部存在较大的残余应力,容易 发生氧化层与硅盲孔侧壁的界面开裂[ 13];其次,高 分子聚合物具有较小的介电常数,可以降低硅通孔的 寄生电容,从而提高电 25D集成电路中低阻硅通孔的电学性能研究
综述：介质超构表面的CMOS兼容制备工艺的进展
2023年7月27日 高通量硅基超构表面大规模制备的主流技术分为两种：一种加工方法是利用现行成熟的深紫外光（DUV）光刻工艺进行图案转移，这种方法非常成熟，加工精度高，但成本较 2014年8月19日 二 氧 化硅 的 工艺条 件 进 行 了 研 究, 确 定 了 反 应 的 最 佳 工 艺 条件: 盐 酸 质量分数为 3 %, 煮 沸 时 间 为 4 h, 煅 烧 温度为 5 5 0 ℃。此 条件下制 得 的二氧化 硅 与传 稻壳制备活性炭和二氧化硅的研究进展 豆丁网利用氮化硅 的掩蔽，在 没有氮化硅 、经离子注 入的区域生 成一层场区 氧化层 厚度1m 除N阱中有 源区的氮化 硅和二氧化 硅层 • 3 结构参数参考值： • p型硅衬底的电阻率为50 cLeabharlann N阱CMOS芯片设计 百度文库2019年4月21日 推进步骤后的分布在数学上用高斯分布来描述（参见下图）结深的增加。通常，推进氧化工艺的温度高于淀积步骤。 2．推进氧化的第二个目的就是暴露的硅表面的氧化。 半导体行业（五十）——掺杂工艺（四）氧化2009年2月27日 氧化膜的生长方法 1热氧化：将裸露的硅片放在1000℃左右的氧化气氛 (如氧气)中生长氧化层。如栅氧、场氧的生长。热 氧化时，氧化膜既在硅片表面形成，也向硅片内延 CMOS工艺及版图 Yangtze U2024年3月15日 公司承担包头金属深加工园区硅产业区集中污水回用处理厂项目环境影响评价工作。 12项目特点 （1）包头金属深加工园区硅产业区集中污水回用处理厂项目的进水来源为 包头金属深加工园区硅产业区集中污水回用处理厂项目报告书pdf
锦艺新材子公司2万吨球形硅微粉项目开工 百家号
2024年11月27日 薄膜与 CVD 工艺 一、氧化膜的制备 （一）二氧化硅的结构、性质与用途 结构：由硅 氧四面体组合而成，有结晶型和无定型两种，氧化工艺生长成的是无定型的二氧化硅。 性质 物理性质：用密度、折射率、电阻率、介 薄膜与 CVD 工艺sio在cvd作用CSDN博客2019年3月27日 新疆合盛硅业新材料有限公司煤电硅一体化项目三期年产20万吨硅氧烷及下游深加工项目配套仓储设施项目pdf 合盛硅业有限公司年产10万吨硅氧烷及下游深加工项目 新疆 硅碳负极材料深加工项目及硅氧负极材料项目环评报告公示 2013年9月27日 在深硅刻蚀中着重对刻蚀过程中的极板功率、SF6 气体流量和刻蚀周期这些工艺参数进行调整优化，刻蚀得到340 um 深，50 um 宽的理想硅槽。 在侧壁光滑陡直刻蚀中，刻 ICP深硅刻蚀工艺研究 真空技术网2012年11月7日 硅湿法深槽刻蚀技术作为硅基体加工中的关键技术而被广泛应用于硅基元器件的空腔结构中,如薄膜体声波谐振器(FBAR)的空腔[1]、半导体激光器的谐振腔[2,3]、MEMS共面 MEMS中硅湿法深槽刻蚀工艺的研究pdf 豆丁网2022年9月8日 金属氧化物半导体（CMOS）的硅基光 器件的研究和工艺。1 硅基关键器件与工艺研究 11 硅基光波导和制造工艺研究 与先进的超大规模集成电路工 艺兼容是硅光子最本质的 基于CMOS平台的硅光子关键器件与 工艺研究 ZTE
MEMS制造的基本工艺 ——CVD与旋涂的沉积工艺 知乎
2023年9月10日 例如，CVD氧化硅的介电强度可以是热生长二氧化硅（简称热氧）的介电强度的一半，所以CMOS晶体管的栅极绝缘体一般采用后一种工艺类型。 一般来说，CVD氧化硅处 2016年5月29日 下方的扩散结深。磷在氧化气氛中的扩散也被增强，其机制与硼相同。氧化阻滞扩散机理 用锑代替硼的扩散实验表明，氧化区正下方锑的扩散结深小于氮化硅保护区下方 的 半导体制造技术期末题库参考答案 豆丁网2012年2月22日 2硅的干法刻蚀工艺的国内外研究 1995年MEsashi等人研究了硅的高速定向深度干法刻蚀 [7]。通过添加磁场和高速的刻蚀 气体得到稠密的等离子体，从而得到高的刻蚀速率 硅的干法刻蚀工艺 豆丁网2014年8月3日 二 氧 化 硅 的 腐 蚀 速 率，以 及 腐 蚀 条 件 对 二 氧 化 硅 表 面 粗 糙 度 及 表 面 深 度 的 影 响。【 关 键 词 】 二 氧 化 硅；腐 蚀 速 率；腐 蚀 深 度；表 面 形 貌；粗 糙 度 二氧化硅的氢氟酸缓冲腐蚀研究 豆丁网2021年6月8日 表面硅 MEMS加工技术是在集成电路平面工艺基础上发展起来的一种MEMS工艺技术。它利用硅平面上不同材料的顺序淀积和选择腐蚀来形成各种微结构。它的基本思路是： 学 问 NJUST2015年8月9日 此外，在扩散总时 间‘定，并去掉各次产生的表面层物质后，则多次扩散比一次扩散能得到更深的结深。 一、引言 硅微机械加T技术是八十年代开始伴随硅微型传感器的研究而 mems加工中的浓硼扩散技术的研究 豆丁网
介质超构表面的CMOS兼容制备工艺的进展 Researching
2023年3月29日 本文主要介绍了硅、氮化硅和二氧化钛3种常见介质 材料的超构表面加工工艺，以及钙钛矿和石墨烯这两 种新材料的加工方法，讨论并分析了超构表面实业化 面临的挑战 2024年12月19日 深硅刻蚀(DSiE)是一种通过化学反应和物理过程来刻蚀硅或其他半导体材料的技术。其原理是在硅表面形成一层保护膜，然后通过离子轰击或化学反应来刻蚀硅材料。由于保 深硅刻蚀技术解析（深硅刻蚀工艺及其应用）主要功能： 主要用于硅、SOI微纳米结构刻蚀，具有Bosch、Cryo、Mixgas三种工艺，Bosch工艺可以实现选择比高、刻蚀速率快、侧壁粗糙度小的高深宽比刻蚀；Cryo工艺可通过液氮和氦背 深硅刻蚀 Deep Silicon Etching2023年2月20日 气相沉积设备主要用于薄膜电路表面的高低频低应 力氧化硅等薄膜淀积。 设备具有低温 TEOS 工艺沉积氧化 硅薄膜，应力易调控，适用于薄膜电路制造中保护膜层 的沉积。 【科普】一文了解TSV工艺及设备 电子工程专辑 EE Times
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